Les travaux menés dans ce manuscrit concernent la modélisation électrothermique de transistor bipolaire à hétérojonction destiné à une application en puissance. Pour cette étude, la modélisation a été scindée en deux parties qui regroupent l'aspect thermique et l'aspect électrique du transistor. En ce qui concerne l'étude thermique, deux approches ont été menées. La première repose sur une méthode de réduction appliquée au système matriciel extrait à partir de la discrétisation en éléments finis de la représentation 2D /3D du transistor. A partir de cette réduction un circuit thermique équivalent de type MIMa est synthétisé. La seconde approche est une caractérisation expérimentale de l'impédance thermique. Celle-ci repose sur la mesure électrique basse fréquence de l'impédance d'entrée sous différentes conditions de charge du transistor. Pour la modélisation électrique du transistor, les principaux phénomènes inhérents au fonctionnement sont décrit ainsi que la manière dont ils sont pris en compte dans le modèle. Ce dernier a finalement été validé à partir de mesures I(V) et paramètres S en impulsion associées à des mesures en puissance load-pull. Dans la dernière partie, nous approfondissons l'étude thermique sur les TBHs de type multidoigts. Pour cette étude, nous avons eu recours à une modélisation électrothermique distribué.