C2SNL Composants Circuits Systèmes Non Linéaires

Responsable

Raphaël SOMMET

  raphael.sommet@xlim.fr

 

Secrétariat

Marie CELERIER
Marie-Claude LEROUGE

  marie.celerier@xlim.fr
  marie-claude.lerouge@xlim.fr

Personnel

23 permanents, 11 doctorants, 5 post docs, 5 stagiaire en master

Présentation

L’équipe CCSNL se positionne sur l’analyse, la modélisation, la conception et la caractérisation des fonctions actives du frontal RF.

Pour couvrir ce domaine scientifique elle est structurée en 3 projets de recherche :

    Projet IN-OV – INstrumentatiOn aVancée

    Projet SIM3RF – Simulation/Modélisation Multi-échelle/Multi-physique du frontal RF

    Projet ACT-RF – Architectures et Conception de Transmetteurs RF

    Projet IN-OV – INstrumentatiOn aVancée

    L’activité d’instrumentation microonde adresse la caractérisation fonctionnelle de composants et modules hyperfréquences non-linéaires. Elle contribue à la modélisation de composants semi-conducteurs pour la CAO des circuits et la validation de démonstrateurs large bande et à haut rendement (amplificateurs de puissance, récépteurs agiles faible bruit)

    Elle a également pour vocation l’analyse de l’interaction dynamique non-linéaire entre les signaux utiles, les circuits analogiques hyperfréquence et de traitement numérique rapide pour des conceptions de fonctions intégrées orientées vers une thématique sous-système

    Projet SIM3RF – Simulation/Modélisation Multi-échelle/Multi-physique du frontal RF

    La spécificité de cette thématique est d’englober les 3 échelles composant, circuit et système RF. Le projet se focalise sur les aspects de simulation multi-physique des composants sur plusieurs échelles (du transistor au boitier) à la caractérisation et l’identification des modèles compacts et comportementaux des transistors et blocs RF, en passant par les algorithmes de simulation des circuits microondes et SOC RF

    Simulation/Modélisation Multi-échelle/Multi-physique du frontal RF

    Modelisation de composants RF :

      Evaluation et optimisation de technologies émérgentes (GaN)

      Procédures d’extraction de modèles compact pour la CAO circuit (ADS/Keysight)

      Modélisation de packagings (thermique, mécanique)

      Simulation de circuits RF :

        Développement d’algorithmes /outils de simulation (SOC RFIC CMOS)

         procédures d’extraction de modèles comportementaux de PAs pour la CAO systeme (SCERNE)

        Simulation de systèmes RF et hybrides :

          Développement d’algorithmes de simulation de sous-systèmes/systèmes RF

          Co-simulation multi-hysique (SIMULIM)

          Projet ACT-RF – Architectures et Conception de Transmetteurs RF.

          Cette activité adresse la conception de circuits pour les émetteurs et les récepteurs RF, pour le développement des nouvelles générations de transmetteurs hyperfréquences reconfigurables et optimisés en consommation d’énergie.

          Pour la partie émetteur, la technologie GaN est au centre des travaux concernant la génération de puissance et les recherches visent l’amélioration des performances en largeur de bande et en rendement énergétique. Les applications sont les terminaux hyperfréquences multistandards, multifonctions pour les domaines télécommunications et radars.

          Les recherches d’architecture de circuits originales sont étudiées pour optimiser la linéarité et la flexibilité en fréquence et en puissance des transmetteurs hyperfréquences

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