La modélisation de transistors de puissance microondes TBH InGaP/GaAs et HEMTs AlGaN/GaN pour des applications en bande X est abordée. Les HEMTs AlGaN/GaN ont été commercialisés récemment, et il y a par conséquent un besoin de modèles précis permettant de décrire leurs caractéristiques électriques afin de concevoir des amplificateurs. Le modèle proposé pour ces HEMTs GaN inclut une description dynamique des effets de pièges sur les caractéristiques électriques et des phénomènes thermiques, permettant d'augmenter la précision des modèles classiques ainsi que leur domaine de validité.