Analyse et caractérisation des performances en puissance de transistors bipolaires à hétéro-jonction SiGe:C pour des applications de radiocommunications mobiles Ces travaux portent sur la caractérisation de transistors de puissance bipolaires à hétéro-jonction Si/SiGe:C, issus des fonderies de STMicroelectronics Crolles, destinés aux applications de radiocommunications mobiles. Un historique des principales évolutions technologiques du transistor bipolaire est proposé. Les simulations CW, utilisant le modèle HICUM, ont mis en évidence l?influence du point de polarisation et des impédances de charge sur l?optimisation en rendement. Les simulations 2-tons et multi-tons ont confirmé le compromis rendement/linéarité. Une résolution originale pour tester la robustesse des transistors est ensuite exposée. Puis, les mesures réalisées sur le banc load-pull actif du laboratoire Xlim ont montré une bonne cohérence avec les simulations CW. Les comparaisons 2-tons sont prometteuses. Enfin, cette thèse a permis d?identifier le problème d?étalonnage du banc load-pull passif de STMicroelectonics. La résolution proposée a été approuvée par Focus Microwaves.