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Contribution au développement de nouveaux instruments pour la modélisation des transistors hautes fréquences

JAAFAR-BELHOUJI Maissa
Résumé : 

Ces travaux portent sur le développement et l'automatisation d'un banc de mesure permettant la caractérisation des niveaux profonds dans les transistors. Tout d'abord, une série de caractérisations statiques et dynamiques a été réalisée afin de déterminer les limites de fonctionnement et les effets parasites des composants suivants : le MHEMT InAlAs/InGaAs et le HEMT InAs/AlSb. Ensuite un banc de mesure basé sur le principe de relaxation isotherme a été modernisé. Il permet à partir de la mesure du courant de drain dans une plage de température, de déterminer la signature des pièges présents. Ce banc a permis la caractérisation et la localisation des pièges dans les deux structures citées précédemment. Une fois caractérisés, les pièges dans le MHEMT InAlAs/InGaAs ont été modélisaés à l'aide d'un circuit électrique représentant les phénomènes de capture et d'émission d'électrons (ou de trous). Un circuit amplificateur à base du MEHMT incluant le modèle de pièges, a été conçu. En variant le point de polarisation du circuit et la température, on a vu que la présence des pièges entraîne une dégradation du gain et une diminution de la fréquence de coupure qui peuvent atteindre 3.9 dB et 1.5 Ghz respectivement.