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Développement de fonctions intégrées incluses dans les transistors RF de puissance conçus en technologie LDMOS

LABROUSSE Nicolas
Résumé : 

Ce travail se rapporte à l'étude et à la conception de circuits intégrés sur la plate-forme technologique du LDMOS. Ces circuits sont dédiés à des applications autour des amplificateurs de puissance de Freescale Semiconductor pour les stations base radio-cellulaire de troisième génération. L'analyse des caractéristiques d'un nouveau transistor à 3 accès, intégré en technologique LDMOS, est réalisée afin de mettre en évidence leur intérêt pour la conception de nouvelles fonctions autour des amplificateurs de puissance. La méthode de caractérisation 3-ports de ce transistor est exposée. Par la suite, cette caractérisation est utilisée pour la mise en oeuvre d'un modèle non linéaire utilisant une topologie dite explosée. La finalité de ces travaux concerne l'étude et la conception de différentes structures d'atténuateurs contrôlés en tension. Une étude comparative des performances de ces différentes topologies est menée afin de sélectionner celle qui atteint les meilleures performances. Enfin, la topologie d'atténuateur atteignant une dynamique d'atténuation supérieure à 20 dB, avec des pertes d'insertions de 3.8 dB, sur la bande UMTS (2.11 - 2.17 GHz), est utilisée pour concevoir une fonction de compensation de gain des amplificateurs de puissance en fonction de la température. Pour cela, un circuit de contrôle intégré est conçu afin de commander le niveau d'atténuation de l'atténuateur variable.