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Matériaux magnétiques doux hétérogènes à combinaison d'aimantation élevée et de grande anisotropie utilisant le couplage d'échange, pour applications microondes

LAMY Yann
Résumé : 

Dans le domaine de la microélectronique haute fréquence, les dimensions des composants passifs sont un frein à la miniaturisation des circuits. Dans ce contexte, la réduction des tailles pour les inductances spirales planaires a fait appel récemment à l’utilisation de films minces ferromagnétiques doux. Les concepteurs de circuits pour la communication mobile en lien avec les développeurs de matériaux ont alors pensé à étendre ces matériaux à d’autres domaines d’application à la frontière du micro-onde et du millimétrique. Ceci ne pourra être réalisé seulement si des films à forte perméabilité (?'DC) et à fréquence de résonance (fFMR) très élevée sont développés. Cependant, une très forte aimantation (4?Ms) et une grande anisotropie (Hk) sont très difficiles à combiner naturellement dans les alliages conventionnels. Afin de surmonter cette limitation, nous proposons une démarche en rupture pour le développement traditionnel pour les matériaux magnétiques doux avec l’utilisation de films de CoFe à très forte aimantation mais non doux naturellement, couplés avec un matériau antiferromagnétique (AF). Durant ma thèse, j’ai développé par PVD des structures Antiferromagnétique/Ferromagnétique/Antiferromagnétique (AF/F/AF) en couches minces. Les principales études ont été réalisées avec le Co90Fe10 (4?Ms = 17.5 kG) et Co35Fe65 (4?Ms = 23.5 kG), ce dernier présentant l’aimantation ultime, en tant que couche F et avec Ni50Mn50 en tant que couche AF. Pour des applications pratiques, ces matériaux seront utilisés en multicouches épais [NiMn/CoFe]*n afin d’obtenir une épaisseur fonctionnelle suffisante (typiquement ? 0.5 ?m). Cependant, ces matériaux sont susceptibles de souffrir de limitations principalement dues aux courants de Foucault, en raison d’un facteur de remplissage non favorable (fr = eF/eAF)