L'implantation quasi systématique de systèmes électroniques au sein de la majorité des dispositifs qui nous entourent rend de plus en plus indispensable la prise en compte des effets parasites créés par des ineractions électromagnétiques. C'est dans ce contecte que ces travaux ont été mis en place afin de confirmer quantitativement et qualitativement les effets d'une onde plane électromagnétique de forte puissance sur un dispositif actif, représenté ici par un transistor à effet de champ HP07 de la société UMS. La démarche est basée sur une méthode hybride fusionnant la méthode des éléments finis dans le domaine fréquentiel pour toute l'analyse électromagnétique, et un logiciel de type circuit pour la partie active hyperfréquence. Le couplage électromagnétique entre le transistor et l'onde plane étant de type "back door", ce dernier est enblobé dans une structure métallique partiellement ouverte : le cylindre OTAN. L'hétérogénéité des dimensions de ce cylindre avec celles de TEC, ainsi que la complexité de ses ouvertures ont été les principales motivations de l'implémentation d'un excitation électromagnétique supplémentaire au sein du logiciel développé à l'IRCOM afin d'optimiser la méthode de décomposition de domaines.