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Modèle de transistors HEMT pour la prédiction précise de l'intermodulation d'ordre 3 à très bas niveau de puissance et aux hautes fréquences et évaluation des performances en linéarités de différentes filières technologiques pHEMT AsGa

LHORTOLARY Julien
Résumé : 

Aujourd'hui, la conception de circuits intégrés hautes fréquences à forte linéarité est devenue un enjeu majeur pour les applications de télécommunication modernes. Malheureusement, aux hautes fréquences et pour de ,faibles puissances de sortie, la plupart des modèles de transistor HEMT actuels engendrent des simulations erronées d'intermodulation, notamment de, /'intermodulation d'ordre 3 (1M3), car leurs non-linéarités sont issues, soit de mesures non pulsées de paramètres S en un point de polarisation DG donné, soit de mesures RF basses fréquences. Nous proposons dans ce manuscrit un modèle de transistor HEMT extrait à partir de mesures DG pulsées et de paramètres S pulsées sur une large bande de fréquence permettant la prédiction précise de l'IM3 aux hautes fréquences et pour une large plage de puissance de sortie. Thèse confidentielle jusqu'au 16 janvier 2009