Le travail présenté dans ce mémoire concerne la modélisation électrique distribuée des transistors à effet de champ hyperfréquences afin de disposer dune description plus fine de ce composant pour la CAO des circuits microondes. Deux nouvelles approches de modélisation sont présentées. Elles sappuient toutes les deux sur la caractérisation expérimentale du transistor. Dans la première, le canal est représenté par une ligne de transmission active. Le modèle non linéaire résultant a montré, lors de sa validation par des mesures du type load-pull, une réelle amélioration à reproduire le mécanisme de saturation de la puissance de sortie. Le deuxième modèle présenté dans ce manuscrit utilise une description électromagnétique des parties passives du transistor, tandis que chaque doigt du composant est modélisé par un circuit équivalent électrique intrinsèque. Ce modèle a montré des qualités très intéressantes dextrapolation de la taille et de la géométrie du transistor modélisé. Il permet également une étude beaucoup plus réaliste de la stabilité des transistors à fort développement de grille.