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Modélisation de transistors à effet de champ AlGaN/GaN : application à la conception d'amplificateurs de très forte puissance.

DE MEYER Sandra
Résumé : 

Ces travaux se rapportent à l 'étude de transistors HEMTs GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence. L'analyse des caractéristiques des matériaux grand gap, et plus précisément du GaN, st réalisée afin de mettre en évidence leur intérêt pour des applications d'amplification de puissance large bande. Des résultats de caractérisation et modélisation électrique de composants sont présentés. Par la suite, la méthode de modélisation hybride de composant est exposée et mise en oeuvre sur différente topologies et montages de HEMTs GaN. La finalité de ces travaux concerne la conception d'amplificateurs distribués de puissance large bande à base de cellules cascode de HEMTs GaN, reportés en flip-chip sur un substrat d'AlN. Il s'agit d'un premier pas vers le MMIC GaN étant donné que des capacité et résistances sont intégrées sur la puce de GaN. L'une des versions permet d'atteindre 10 W sur la bande 4 - 18 GHz avec une PAE associée de 20 % à 2 dB de compression.