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Caractérisation et modélisation de transistors DHBT sur InP/GaAsSb/InP en vue de la conception et la réalisation d'un oscillateur MMIC en bande Ka

LAURENT Sylvain
Abstract: 

Ce mémoire est consacré à la caractérisation et modélisation de transistors DHBT en technologie InP/GaAsSb/InP en vue de la conception et la réalisation d'un oscillateur MMIC en bande Ka. Ce travail permet d'étudier la faisabilité de concevoir un oscillateur avec cette technologie. Le premier chapitre de ce mémoire montre l'intérêt d'utilisé un TBDH avec la téchnologie InP pour la conception d'oscillateur. Le deuxième chapitre décrit la modélisation non linéaire du transistor bipolaire à double hétérojonction utilisé pour la conception de l'oscillateur. La seconde partie de ce chapitre montre la modélisation en bruit basse fréquence de ce transistor, contribution essentielle au bruit de phase près de la porteuse. Le troisième chapitre est consacré à la conception de l'oscillateur final. Les différentes étapes de la conception sont décrites. La réalisation d'un oscillateur à fréquence fixe présentant un bruit de phase de -76 dB