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Conception d'oscillateurs à faible bruit de thèse en technologie TBH sur substrat InP aux fréquences millimétriques.

LISBOA DE SOUZA Antonio Augusto
Abstract: 

Ce travail concerne le développement de moyens de caractérisation expérimentale du bruit BF des composants semi-conducteurs. Pour pouvoir extraire les sources de bruit en courant équivalentes aux accès du transistor lorsque celui-ci est soumis à un fort courant DC, nous proposons une méthode basée sur la caractérisation expérimentale de sa dynamique BF, ainsi que des fluctuations de tensions à ses bornes. Dans un deuxième temps, nous avons étudié le bruit BF des diodes et transistors, lorsque ceux-ci sont soumis à un régime de travail fort signal. L?instrumentation retenue pour cette étude a été préalablement utilisée dans la mesure du bruit 1/f des résistances au carbone, afin de démontrer ses potentialités. Les résultats obtenus sur des composants semi-conducteurs ont mis en évidence le caractère cyclostationnaire des sources de bruit BF.