Les systèmes de télécommunications sans fil ont évolué de façon rapide depuis une vingtaine d’année. La conception de ces systèmes est soumise à de nombreuses contraintes : le coût de production, les techniques d’intégration des composants, l’encombrement, etc. La technologie monolithique et plus précisément les procédés de fabrication de circuits silicium (CMOS et BiCMOS) offrent depuis plusieurs années une possibilité de pallier à ce type de difficultés. Ils permettent aujourd’hui l’intégration de plusieurs fonctions RF et mixte sur une seule puce. Malheureusement, la conception de certaines fonctions RF pose encore problème. C’est le cas des filtres radiofréquences qui constituent les éléments essentiels du système de télécommunication. Les exigences demandées pour ces filtres conduisent à étudier des solutions de filtres actifs ; en effet les structures passives (à cavités ou à résonateurs diélectriques ou à ondes acoustiques de surface) ne permettent pas d’avoir de meilleures performances en termes de pertes d’insertion, sélectivité, encombrement et accordabilité fréquentielle. Dans cette thèse préparée avec le soutien contractuel de l’ANR (projet SRAMM -Systèmes de Réception Adaptatifs Multimodes Multistandards), nous nous sommes intéressés à l’étude d’une nouvelle topologie de filtrage actif LC basée sur l’utilisation d’une inductance compensée à trois inductances couplées. Notre travail consiste également à définir une méthodologie de modélisation des trois inductances couplées et à utiliser cette dernière pour la réalisation d’un circuit LNA filtrant accordable utilisable en bande GSM3G.