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Intégration d'un modèle thermique de transistor bipolaire à hétérojonction issu de simulations thermiques Tridimensionnelle dans un environnement de simulation circuit

LOPEZ David
Abstract: 

Le travail présenté dans ce mémoire concerne l'intégration d'un modèle thermique de TBH issu de simulations thermiques 3D dans une environnement de simulation circuit. Après avoir mis en évidence dans le premier chapitre les effets thermiques dans les composants micro-ondes, nous avons présenté dans le second chapitre le potentiel de prédiction des échauffements d'une analyse thermique 3D. Ensuite nous avons présenté la mise en place d'une méthode de réduction de modèle par la technique des vecteurs de Ritz à partir de ces simulations. Le troisième chapitre décrit la modélisation non-linéaire électrothermique de TBH développé à l'IRCaM afin de générer un modèle global de transistor distribué par doigts que l'on connectera au modèle thermique. Enfin, le dernier chapitre démontre l'inté¬rêt d'un tel modèle dans le cadre de prédiction de stabilité (crunch) et du fonctionnement de puissance notamment en terme de dynamiques lentes en fonctionnement pulsé.