Ce travail concerne la modélisation comportementale d'amplificateurs de puissance hypeifréquence. L'objectif est plus particulièrement de caractériser et d'intégrer efficacement les effets de mémoire non linéaires, notamment basse fréquence. Une étude sur les phénomènes de mémoire dans les amplificateurs de puissance permet d'en comprendre les origines et les mécanismes. Trois déclinaisons de modèles, basés sur une forme plus générale que le développement conduisant au formalisme de la série de Volterra à noyaux dynamiques, sont développées, l'une adaptée aux applications bande étroite, et les deux autres aux applications large bande. Les potentialités des différents modèles sont, dans un premier temps, évaluées par l'intermédiaire de comparaisons entre des simulations niveau « circuit» et des simulations niveau « système ». Enfin, un banc de caractérisation des enveloppes complexes aux accès RF d'un amplificateur est présenté, permettant l'extraction des paramètres des modèles par l'intermédiaire de données expérimentales. Un exemple de modélisation d'amplificateur est présenté corifortant les approches de modélisation et de caractérisation.