Les amplificateurs de puissance RF réalisés à partir de composants issus des technologies III-V sont actuellement les plus performants du fait de leurs propriétés physique intrinsèques. Malgré cela ces technologies ne répondent pas complètement aux exigences du marché de la radiotéléphonie mobile en terme de coût de revient. Pour répondre à ce besoin de nouvelles générations de transistors MOS de puissance sur silicium tels que les LDMOS sont apparues. Ces composants ont l?avantage d?être réalisés dans des filières matures et offrent des performances très honorables à des coûts beaucoup plus bas, ce qui est un atout majeur dans le contexte actuel où le marché du téléphone cellulaire est très sensible au prix des composants. Cette thèse s?inscrit dans le cadre d?une réflexion sur les potentialités d?un transistor LDMOS intégré en technologie BiCMOS 0.25 µm et sur l?optimisation de ses performances pour une application dans des circuits de type amplificateurs de puissance intégrés sur silicium. Les mécanismes de fonctionnement du composant LDMOS et les principales raisons de l?émergence du transistor LDMOS devant celle du MOSFET pour des applications radiofréquences sont présentés. Le travail décrit par la suite s?articule autour de la réalisation du composant LDMOS pour l?amplification de puissance et de son optimisation. Dans un premier temps les paramètres technologiques qui sont nécessaires à l?obtention d?un composant respectant les caractéristiques de sortie fixées par le cahier des charges de l?application sont déterminés. Une analyse a ensuite permis d?identifier les paramètres intrinsèques et extrinsèques du composant susceptibles d?améliorer ses performances dynamiques. Pour cela l?effet des modifications d?architecture, de dessin ainsi que du procédé de fabrication du LDMOS sur les caractéristiques dynamiques ont été étudiées et ont abouti à des résultats prometteurs. En effet les performances du transistor LDMOS optimisé atteignent l?état de l?art.