Les progrès de la technologie BiCMOS (SiGe) suscitent sa possible utilisation dans les applications à hautes fréquences. Les travaux décrits dans ce mémoire visent à étudier les potentialités de cette technologie pour la réalisation de circuits intégrés monolithiques (MMIC) faibles bruit dans la bande de fréquence RF et microondes. Ce mémoire est composé de trois chapitres. Le premier chapitre rappelle la théorie générale du transistor bipolaire. Nous y présentons le procédé de fabrication, les équations électriques du transistor bipolaire ainsi que ses circuits de polarisation tels que les sources de courant. Le deuxième chapitre est consacré à l'étude des filières à base de Silicium. Nous présentons les phénomènes électromagnétiques de ces filières technologiques, dont la minimisation de ses effets parasites est décrite dans ce chapitre. Le troisième chapitre se divise en deux parties. La première partie est dédiée à l'étude et la réalisation d'un amplificateur faible bruit différentiel, basé sur une structure cascode. Nous présentons aussi dans ce chapitre, les contraintes de simulation et de mesure des structures différentielles. Enfin, la deuxième partie de ce chapitre est consacrée à l'étude et la réalisation d'une résistance négative flottante, pouvant être utilisée dans un résonateur LC dans le but de compenser les pertes introduites par les éléments réactifs et d'augmenter le facteur de qualité du filtre global.